PI 膜石墨化爐是我廠工程技術(shù)人員消化和吸收國(guó)外**的測(cè)溫、控溫技術(shù)、智能化、新材料技術(shù)和爐膛設(shè)計(jì)技術(shù)，推出的一項(xiàng)特別碳素材料行業(yè)（工藝允許也可適用于其他行業(yè)）的高性能智能化電爐。

●用途：    

應(yīng)用碳素材料的燒結(jié)，PI 膜石墨化，導(dǎo)熱材料石墨化、碳纖維繩的燒結(jié)，碳纖維燈絲的燒結(jié)石墨化及其它可在碳環(huán)境下燒結(jié)和熔煉的材料。

●特點(diǎn)： 
3000℃以內(nèi)超高溫爐體，可滿足各種材料的燒結(jié)和石墨化。 
采用數(shù)顯化智能控溫系統(tǒng)，全自動(dòng)高精度完成測(cè)溫控溫過(guò)程，系統(tǒng)可按給定升溫曲線升溫，并可貯存二十條共400段不同的工藝加熱曲線。 
采用內(nèi)循環(huán)純水冷卻系統(tǒng)；數(shù)字式流量監(jiān)控系統(tǒng)，爐體轉(zhuǎn)換采用高性能中頻接觸器；全面的PLC水、電、氣自動(dòng)控制和保護(hù)系統(tǒng)。 

●主要技術(shù)參數(shù)： 
**使用溫度：3000℃ 
高溫區(qū)容積：0.01m3、0.02m3、0.03m3、0.05m3、 0.1m3、 0.15m3、0.2m3 、0.3m3 、0.5m3、0.8m3
爐內(nèi)工作氣氛：真空、氫氣、氮?dú)?、惰性氣體等 
溫度均勻度：≤±10℃ 
溫度測(cè)量：遠(yuǎn)紅外線光學(xué)測(cè)溫
測(cè)溫范圍1000~3000℃或600~3100℃
測(cè)溫精度：0.2~0.75% 
溫度控制：程序控制和手動(dòng)控制； 控溫精度：±1℃ 
極限升溫速度：50℃/分鐘（空爐，視高溫區(qū)容積和爐膛結(jié)構(gòu)而定.