在電子電路領(lǐng)域，覆銅陶瓷基板因其優(yōu)異的電氣性能和機(jī)械性能而得到廣泛應(yīng)用。其中，DPC（直接鍍銅）、AMB（活性金屬釬焊）和DBC（直接覆銅）是三種主流的覆銅陶瓷基板技術(shù)。

技術(shù)特點(diǎn)對(duì)比

1.DPC（直接鍍銅）

· （1）工藝原理：DPC采用電鍍工藝在陶瓷表面沉積銅層，通過(guò)磁控濺射、圖形電鍍等方式實(shí)現(xiàn)陶瓷表面金屬化。

  （2）特點(diǎn)：

·   高精度：DPC技術(shù)能夠制作出精細(xì)線路，適用于對(duì)電路復(fù)雜度要求高、空間緊湊的領(lǐng)域。

薄型化：DPC基板通常較薄，有助于實(shí)現(xiàn)電子器件的三維封裝與集成。

低溫制備：DPC工藝在300°C以下進(jìn)行，避免了高溫對(duì)基片材料和金屬線路層的不利影響。

2.AMB（活性金屬釬焊）

（1）工藝原理：AMB通過(guò)活性金屬焊料實(shí)現(xiàn)銅層與陶瓷的冶金結(jié)合，大幅提升界面強(qiáng)度。

（2）特點(diǎn)：

高可靠性：AMB基板具有優(yōu)異的抗熱疲勞能力和熱循環(huán)壽命，適用于高溫、高振動(dòng)環(huán)境。

高熱導(dǎo)率：AMB技術(shù)能夠有效降低熱阻，提高散熱性能。

高結(jié)合強(qiáng)度：AMB基板的銅層結(jié)合力高，通常在18n/mm以上。

3.DBC（直接覆銅）

（1）工藝原理：DBC通過(guò)高溫將銅箔直接燒結(jié)在陶瓷表面，形成復(fù)合基板。

（2）特點(diǎn)：

結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單：DBC工藝成熟，易于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。

成本可控：相較于AMB和DPC，DBC的成本相對(duì)較低。

均衡性能：DBC基板具有均衡的導(dǎo)熱性和電氣性能，適用于中高功率場(chǎng)景。

應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)比

DPC

·應(yīng)用領(lǐng)域：激光雷達(dá)、高精度傳感器、5G通訊、工業(yè)射頻、大功率LED、混合集成電路等。

·優(yōu)勢(shì)：DPC技術(shù)能夠滿足這些領(lǐng)域?qū)﹄娐窂?fù)雜度、空間緊湊性和精度的要求。

AMB

·應(yīng)用領(lǐng)域：新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)、超高壓充電樁、軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、光伏、5G通信等。

·優(yōu)勢(shì)：AMB基板的高可靠性、高熱導(dǎo)率和抗熱疲勞能力使其成為這些高溫、高振動(dòng)、高功率密度場(chǎng)景的理想選擇。

DBC

·應(yīng)用領(lǐng)域：工業(yè)變頻器、光伏逆變器、戶用儲(chǔ)能等。

·優(yōu)勢(shì)：DBC基板在中高功率場(chǎng)景中表現(xiàn)出色，且成本可控，適合成本敏感型項(xiàng)目。

DPC、AMB和DBC覆銅陶瓷基板各有其獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域。在選擇時(shí)，應(yīng)根據(jù)具體的應(yīng)用需求、功率等級(jí)、環(huán)境應(yīng)力以及成本預(yù)算等因素進(jìn)行綜合考慮。對(duì)于需要高精度、小型化和復(fù)雜形狀設(shè)計(jì)的電子器件，DPC技術(shù)是不錯(cuò)的選擇；對(duì)于高功率、高溫和高可靠性要求的電子器件，AMB技術(shù)更具優(yōu)勢(shì)；而對(duì)于成本敏感、對(duì)性能要求適中的工業(yè)應(yīng)用，DBC技術(shù)則是一個(gè)經(jīng)濟(jì)實(shí)用的選擇。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，覆銅陶瓷基板技術(shù)也將不斷創(chuàng)新和完善，為高性能電子器件的發(fā)展提供有力支撐。歡迎咨詢南積半導(dǎo)體公司，咨詢方式：18933375518