陶瓷電容是日常生活中經(jīng)常能夠見到的，但是有很多朋友并不了解陶瓷電容，那么今天我們就來了解一下陶瓷電容的相關(guān)內(nèi)容，包括陶瓷電容的作用，接下來我們就一起來看看電子之家的分享。
陶瓷電容的介紹
陶瓷電容(ceramic capacitor;ceramic condenser )又稱為瓷介電容器或獨石電容器。顧名思義，瓷介電容器就是介質(zhì)材料為陶瓷的電容器。根據(jù)陶瓷材料的不同，可以分為低頻陶瓷電容器和高頻陶瓷電容器兩類。按結(jié)構(gòu)形式分類，又可分為圓片狀電容器、管狀電容器、矩形電容器、片狀電容器、穿心電容器等多種。
它的外形以片式居多，也有管形、圓形等形狀。
陶瓷電容器是以陶瓷材料為介質(zhì)的電容器的總稱。其品種繁多，外形尺寸相差甚大。按
使用電壓可分為高壓，中壓和低壓陶瓷電容器。按溫度系數(shù)，介電常數(shù)不同可分為負(fù)溫度系數(shù)、正溫度系數(shù)、零溫度系數(shù)、高介電常數(shù)、低介電常數(shù)等。此外，還有I型、II型、III型的分類方法。一般陶瓷電容器和其他電容器相比，具有使用溫度較高，比容量大，耐潮濕性好，介質(zhì)損耗較小，電容溫度系數(shù)可在大范圍內(nèi)選擇等優(yōu)點。廣泛用于電子電路中，用量十分可觀。
陶瓷電容的作用
陶瓷電容的作用
陶瓷電容器種類
半導(dǎo)體陶瓷電容器
(1)表面層陶瓷電容器 電容器的微小型化，即電容器在盡可能小的體積內(nèi)獲得盡可能大的容量，這是電容器發(fā)展的趨向之一。對于分離電容器組件來說，微小型化的基本途徑有兩個：
①使介質(zhì)材料的介電常數(shù)盡可能提高;
②使介質(zhì)層的厚度盡可能減薄。在陶瓷材料中，鐵電陶瓷的介電常數(shù)很高，但是用鐵電陶瓷制造普通鐵電陶瓷電容器時，陶瓷介質(zhì)很難做得很薄。**先是由于鐵電陶瓷的強度低，較薄時容易碎裂，難于進(jìn)行實際生產(chǎn)操作，其次，陶瓷介質(zhì)很薄時易于造成各種各樣的組織缺陷，生產(chǎn)工藝難度很大。
表面層陶瓷電容器是用BaTiO3等半導(dǎo)體陶瓷的表面上形成的很薄的絕緣層作為介質(zhì)層，而半導(dǎo)體陶瓷本身可視為電介質(zhì)的串聯(lián)回路。表面層陶瓷電容器的絕緣性表面層厚度，視形成方式和條件不同，波動于0.01～100μm之間。這樣既利用了鐵電陶瓷的很高的介電常數(shù)，又有效地減薄了介質(zhì)層厚度，是制備微小型陶瓷電容器一個行之有效的方案。
成表面介質(zhì)層的方法很多，這里僅作簡單介紹。在BaTiO3導(dǎo)體陶瓷的兩個平行平面上燒滲銀電極，銀電極和半導(dǎo)體陶瓷的接觸介面就會形成極薄的阻擋層。由于Ag是一種電子逸出功較大的金屬，所以在電場作用下，BaTiO3導(dǎo)體陶瓷與Ag電極的接觸介面上就會出現(xiàn)缺乏電子的阻擋層，而阻擋層本身存在著空間電荷極化，即介面極化。這樣半導(dǎo)體陶瓷與Ag電極之間的這種阻擋層就構(gòu)成了實際上的介質(zhì)層。
這種電容器瓷件，先在大氣氣氛中燒成，然后在還原氣氛中強制還原半導(dǎo)化，再在氧化氣氛中把表面層重新氧化成絕緣性的介質(zhì)層。再氧化層的厚度應(yīng)控制適當(dāng)。若氧化膜太薄，電極和陶瓷間仍可呈現(xiàn)pn結(jié)的整流特性，絕緣電阻和耐電強度都得不到改善。隨著厚度的逐漸增加，pn結(jié)的整流特性消失，絕緣電阻提高，對直流偏壓的依存性降低。但是，再氧化的時間不宜過長，否則可能導(dǎo)致陶瓷內(nèi)部重新再氧化而使電容器的容量降低。還原處理的溫度為800～1200℃，再氧化處理的溫度為500～900℃。經(jīng)還原處理后的陶瓷材料，絕緣電阻率可降至10～103Ω·cm，表面層的電阻率**內(nèi)部瓷體的電阻率;薄瓷片的電阻率，一般比處理條件相同的較厚瓷體的電阻率低一些。由于再氧化處理形成的表面絕緣性介質(zhì)層的厚度比較薄，所以盡管其介電常數(shù)不一定很高，但是經(jīng)還原再氧化處理后，該表面層半導(dǎo)體陶瓷電容器的單位面積容量仍可達(dá)0.05～0.06μF/cm2。
(2)晶界層陶瓷電容器晶粒發(fā)育比較充分的BaTiO3半導(dǎo)體陶瓷的表面上，涂覆適當(dāng)?shù)慕饘傺趸?例如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等)，在適當(dāng)溫度下，于氧化條件下進(jìn)行熱處理，涂覆的氧化物將與BaTiO3形成低共溶液相，沿開口氣孔和晶界迅速擴(kuò)散滲透到陶瓷內(nèi)部，在晶界上形成一層薄薄的固溶體絕緣層。這種薄薄的固溶體絕緣層的電阻率很高(可達(dá)1012～1013Ω·cm)，盡管陶瓷的晶粒內(nèi)部仍為半導(dǎo)體，但是整個陶瓷體表現(xiàn)為顯介電常數(shù)高達(dá)2×104到8×104的絕緣體介質(zhì)。用這種瓷制備的電容器稱為晶界層陶瓷電容器(boundarg layer ceramic capacitor)，簡稱BL電容器。
陶瓷電容的作用
旁路(去耦)
這是為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗的通路。在電子電路中，去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用，電容器所處的位置不同，稱呼就不一樣。對于同一個電路來說，旁路(bypass)電容是把輸入信號中的高頻噪聲作為濾除對象，把前級攜帶的高頻雜波濾除，而去耦(decoupling)電容也稱退耦電容，是把輸出信號的干擾作為濾除對象。我們經(jīng)常可以看到，在電源和地之間連接著去耦電容，它有三個方面的作用：一是作為本集成電路的蓄能電容;二是濾除該器件產(chǎn)生的高頻噪聲，切斷其通過供電回路進(jìn)行傳播的通路;三是防止電源攜帶的噪聲對電路構(gòu)成干擾。
陶瓷電容的作用
陶瓷電容的作用
耦合
用在耦合電路中的陶瓷電容稱為耦合電容，在阻容耦合放大器和其他電容耦合電路中大量使用這種電容電路，起隔直流通交流作用，它作為兩個電路之間的連接，允許交流信號通過并傳輸?shù)较?*電路。
濾波
用在濾波電路中的陶瓷電容器稱為濾波電容，濾波電容是會將一定頻段內(nèi)的信號從總信號中去除的，所以在電源電路中，整流電路將交流變成脈動的直流，而在整流電路之后接入一個較大容量的陶瓷電容，利用其充放電特性，使整流后的脈動直流電壓變成相對比較穩(wěn)定的直流電壓。
諧振
用在LC諧振電路中的安規(guī)電容器稱為諧振電容，LC并聯(lián)和串聯(lián)諧振電路中都需這種電容電路。
溫度補償
針對其它元件對溫度的適應(yīng)性不夠帶來的影響而進(jìn)行補償，改善電路的穩(wěn)定性。
調(diào)諧
是對與頻率相關(guān)的電路進(jìn)行系統(tǒng)調(diào)諧，比如手機、收音機、電視機。
儲能
儲能就是儲存電能，用于必要的時候釋放。例如相機閃光燈，加熱設(shè)備等等。(現(xiàn)如今很多電容的儲能水平已經(jīng)可以接近鋰電池的水準(zhǔn)，一個電容儲存的電能就可以供一個手機使用一天的時間)
陶瓷電容的作用比較多，性能較好，相信看完電子之家平臺分享的內(nèi)容的朋友對于陶瓷電容會有更多的了解，希望我們的分享對朋友們有所幫助。
電容器是電子線路板上不可缺少的配件，我們所用的家用電器以及電子產(chǎn)品上都有電容器。下面電子之家就給大家介紹什么是陶瓷電容器，制造片式多層陶瓷電容器有哪些要點?
什么是陶瓷電容器 制造片式多層陶瓷電容器有哪些要點
片式多層陶瓷電容器
陶瓷電容器
陶瓷電容器又稱為瓷介電容器或獨石電容器。顧名思義，瓷介電容器就是介質(zhì)材料為陶瓷的電容器。根據(jù)陶瓷材料的不同，可以分為低頻陶瓷電容器和高頻陶瓷電容器兩類。據(jù)電子之家了解，按結(jié)構(gòu)形式分類，又可分為圓片狀電容器、管狀電容器、矩形電容器、片狀電容器、穿心電容器等多種。
什么是陶瓷電容器 制造片式多層陶瓷電容器有哪些要點
片式多層陶瓷電容器
制造片式多層陶瓷電容器的要點
(1)原料要精選
影響高壓陶瓷電容器質(zhì)量的因素，除瓷料組成外，優(yōu)化工藝制造、嚴(yán)格工藝條件是非常重要的。因此，對原料既要考慮成本又要注意純度，選擇工業(yè)純原料時，必須注意原料的適用性。
(2)熔塊的制備
熔塊的制備質(zhì)量對瓷料的球磨細(xì)度和燒成有很大的影響，如熔塊合成溫度偏低，則合成不充分。對后續(xù)工藝不利。如合成料中殘存Ca2+，會阻礙軋膜工藝的進(jìn)行：如合成溫度偏高，使熔塊過硬，會影響球磨效率：研磨介質(zhì)的雜質(zhì)引入，會降低粉料活性，導(dǎo)致瓷件燒成溫度提高。
看了上面的介紹，想必大家已經(jīng)知道了什么是陶瓷電容器。在制造片式多層陶瓷電容器時，原料必須要要精選。




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