碳化硅（SiC）緣何成為第三代半導(dǎo)體**重要的材料？

在半導(dǎo)體技術(shù)中，需要**純度的細(xì)晶粒石墨，而SiC 單晶的生長(zhǎng)通常涉及在超過(guò) 2400 °C 的極高溫度下的某種物理蒸汽傳輸機(jī)制。

多孔石墨作為晶體生長(zhǎng)過(guò)程中關(guān)鍵的材料，同時(shí)，需要**純度和**精度。我司可依據(jù)客戶不同的型號(hào)要求定制，滿足客戶的不同需求。