芯片失效分析（FA測試）
芯片失效分析測試項目：
光學檢查(VI/OM)；
掃描電鏡檢查(FIB/SEM)；
微光分析定位(EMMI/InGaAs)；
OBIRCH；
微探針測試(Micro-probe)；
聚焦離子束微觀分析(Dualbeam-FIB)；
彈坑試驗(cratering)；
芯片開封(decap)；
芯片去層(delayer)；
晶格缺陷試驗(化學法)；
PN結染色/碼染色試驗；
推拉力測試(WBP/WBS)；
紅墨水試驗；PCBA切片分析(X-section)；
GRGT目前具有以下芯片相關測試能力及技術服務能力：
芯片可靠性驗證(RA)：
芯片級預處理(PC)&MSL試驗、J-STD-020&JESD22-A113；
高溫存儲試驗(HTSL),JESD22-A103；
溫度循環(huán)試驗(TC),JESD22-A104；
溫濕度試驗(TH/THB),JESD22-A101；
高加速應力試驗(HTSL/HAST),JESD22-A110；
高溫老化壽命試驗(HTOL),JESD22-A108；
芯片靜電測試(ESD)：
人體放電模式測試(HBM),JS001；
元器件充放電模式測試(CDM),JS002；
閂鎖測試(LU),JESD78；
TLP；Surge/EOS/EFT；
芯片材料分析：
高分辨TEM(形貌、膜厚測量、電子衍射、STEM、HAADF)；
SEM(形貌觀察、截面觀察、膜厚測量、EBSD)；
Raman(Raman光譜)；AFM(微觀表面形貌分析、臺階測量)；
廣州廣電計量檢測股份有限公司（GRGT）失效分析實驗室AEC-Q技術團隊，執(zhí)行過大量的AEC-Q測試案例，積累了豐富的認證試驗經(jīng)驗，可為您提供更專業(yè)、更可靠的AEC-Q認證試驗服務。
芯片測試地點：廣電計量-廣州總部試驗室、廣電計量-上海浦東試驗室。
芯片測試業(yè)務咨詢及技術交流：
GRGT張工186-2090+8348；
zhanghp grgtest.com