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詳細介紹
一種晶圓邊緣芯片平坦化方法，其特征在于，包括步驟：提供待研磨晶圓，待研磨晶圓上分布若干待研磨芯片;將待研磨晶圓吸附于研磨頭下，研磨頭具有邊緣區(qū)域和中心區(qū)域，研磨頭的邊緣區(qū)域內(nèi)的下壓力作用于待研磨晶圓的邊緣區(qū)域，研磨頭的中心區(qū)域內(nèi)的下壓力作用于待研磨晶圓的中心區(qū)域;將吸附有待研磨晶圓的研磨頭移至研磨墊上;設置研磨頭的邊緣區(qū)域內(nèi)的下壓力為4.5-6.0psi，研磨頭的中心區(qū)域內(nèi)的下壓力為3.5-4.5psi，轉(zhuǎn)臺的轉(zhuǎn)速為100-150rpm，將待研磨芯片的厚度從初始值研磨至一設定值;以及設置研磨頭的邊緣區(qū)域內(nèi)的下壓力為0.8-1.5psi，研磨頭的中心區(qū)域內(nèi)的下壓力為0.7-1.2psi，轉(zhuǎn)臺的轉(zhuǎn)速為100-150rpm，將待研磨芯片的厚度從一設定值研磨至目標值。
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